Infineon IHW50N65R6XKSA1, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 6,10

(excl. BTW)

€ 7,38

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 136 stuk(s) vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 3,05€ 6,10
20 - 48€ 2,75€ 5,50
50 - 98€ 2,56€ 5,12
100 - 198€ 2,38€ 4,76
200 +€ 2,225€ 4,45

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
225-0576
Fabrikantnummer:
IHW50N65R6XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

83A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

251W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

TrenchStop

Automotive Standard

No

The Infineon IHW50N65R6 is the 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.

Frequency range 20-75 kHz

Low EMI

Very tight parameter distribution

Maximum operating TJ of 175 °C

Gerelateerde Links