STMicroelectronics STGW100H65FB2-4 IGBT, 145 A 650 V, 4-Pin TO247-4

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 14,31

(excl. BTW)

€ 17,316

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 568 stuk(s) vanaf 22 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 7,155€ 14,31
10 +€ 6,165€ 12,33

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
212-2107
Fabrikantnummer:
STGW100H65FB2-4
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

145 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

441 W

Package Type

TO247-4

Channel Type

N

Pin Count

4

Transistor Configuration

Single

IGBT


The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represent an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast application.

Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient

Gerelateerde Links