onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,55

(excl. BTW)

€ 11,556

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 422 stuk(s) vanaf 26 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,775€ 9,55
20 +€ 4,12€ 8,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-4627
Fabrikantnummer:
FGH60T65SQD-F155
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

333 W

Package Type

TO-247 G03

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Gate Capacitance

3813pF

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

50mJ

Land van herkomst:
CN
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC

Gerelateerde Links