IXYS IXXK110N65B4H1 IGBT, 570 A 650 V, 3-Pin TO-264, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 396,45

(excl. BTW)

€ 479,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 275 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 +€ 15,858€ 396,45

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4588
Fabrikantnummer:
IXXK110N65B4H1
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

570 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

880 W

Package Type

TO-264

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

10 → 30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

20.3 x 5.3 x 26.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

3mJ

IGBT Discretes, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links