IXYS IXXK110N65B4H1 IGBT, 570 A 650 V, 3-Pin TO-264, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 17,73

(excl. BTW)

€ 21,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 18 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 279 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 17,73
2 - 4€ 15,89
5 - 9€ 15,09
10 - 24€ 14,38
25 +€ 13,64

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
125-8051
Fabrikantnummer:
IXXK110N65B4H1
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

570 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

880 W

Package Type

TO-264

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

10 → 30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

20.3 x 5.3 x 26.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

3mJ

IGBT Discretes, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links