IXYS IXXK100N60C3H1 IGBT, 100 A 600 V, 3-Pin TO-264, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 439,15

(excl. BTW)

€ 531,375

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 50 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 +€ 17,566€ 439,15

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4587
Fabrikantnummer:
IXXK100N60C3H1
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

695 W

Package Type

TO-264

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

20 → 60kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

20.3 x 5.3 x 26.6mm

Energy Rating

600mJ

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Land van herkomst:
PH

IGBT Discretes, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links