IXYS, Type N-Channel IGBT Module, 135 A 1200 V, 7-Pin Y4-M5, Surface

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 doos van 6 eenheden)*

€ 467,718

(excl. BTW)

€ 565,938

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per Doos*
6 +€ 77,953€ 467,72

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4474
Fabrikantnummer:
MII100-12A3
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

135A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

560W

Package Type

Y4-M5

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Switching Speed

30kHz

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

30mm

Series

NPT

Length

94mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

IGBT Modules, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links