IXYS MII100-12A3, Type N-Channel IGBT Module, 135 A 1200 V, 7-Pin Y4-M5, Surface

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 76,32

(excl. BTW)

€ 92,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 76,32

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
193-874
Fabrikantnummer:
MII100-12A3
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Maximum Continuous Collector Current Ic

135A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

560W

Package Type

Y4-M5

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Switching Speed

30kHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.7V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Series

NPT

Length

94mm

Height

30mm

Automotive Standard

No

IGBT Modules, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links