BGA7L1BN6E6327XTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 13.6 dB, 6-Pin 960 MHz TSNP-6-2

Bekijk alle RF Amplifiers ICs

Subtotaal (1 rol van 15000 eenheden)*

€ 3.420,00

(excl. BTW)

€ 4.140,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
15000 +€ 0,228€ 3.420,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-5225
Fabrikantnummer:
BGA7L1BN6E6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

RF Amplifier

Amplifier Type

Low Noise

Technology

Silicon Germanium

Mount Type

Surface

Gain

13.6dB

Minimum Supply Voltage

1.5V

Package Type

TSNP-6-2

Pin Count

6

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Noise Figure

0.75dB

Third Order Intercept OIP3

5dBm

Maximum Operating Temperature

85°C

Length

1.1mm

Height

0.37mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

Series

BGA7L1BN6

Land van herkomst:
MY
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 716 MHz to 960 MHz. The LNA provides 13.6 dB gain and 0. 75 dB noise figure at a current consumption of 4.9 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.6 V supply voltage. The device features a single line two state control and OFF state can be enabled by powering down Vcc.

Pb free package

RoHS compliant

Low noise figure

Digitally on off switch

Low current consumption

Only 1 external SMD component necessary

Gerelateerde Links