IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-264

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 737,70

(excl. BTW)

€ 892,63

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 25 stuk(s) vanaf 12 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 +€ 29,508€ 737,70

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
920-0877
Fabrikantnummer:
IXFK26N120P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-264

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

460mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

225nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

26.16mm

Standards/Approvals

No

Width

5.13mm

Length

19.96mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.