Onlangs gezocht

    N-Channel MOSFET, 9.7 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF520NPBF

    RS-stocknr.:
    919-4876
    Fabrikantnummer:
    IRF520NPBF
    Fabrikant:
    Infineon
    Infineon
    Bekijk alle MOSFETs
    Tijdelijk niet op voorraad voor levertijd of een alternatief product neem contact op via Live Chat of zoek een vergelijkbaar product op de website.
    Add to Basket
    Aantal stuks

    Dit product is momenteel niet beschikbaar voor nabestelling.

    We hebben dit product helaas niet op voorraad en het is op dit moment niet beschikbaar voor nabestelling.

    Toegevoegd

    Prijs Each (In a Tube of 50)

    1,202 €

    (excl. BTW)

    1,454 €

    (incl. BTW)

    Aantal stuksPer stukPer tube*
    50 - 501,202 €60,10 €
    100 - 2001,166 €58,30 €
    250 - 4501,13 €56,50 €
    500 +1,082 €54,10 €
    *prijsindicatie
    RS-stocknr.:
    919-4876
    Fabrikantnummer:
    IRF520NPBF
    Fabrikant:
    Infineon

    Wetgeving en conformiteit


    Productomschrijving

    N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon


    The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.



    MOSFET Transistors, Infineon


    Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


    Specificaties

    KenmerkWaarde
    Channel TypeN
    Maximum Continuous Drain Current9.7 A
    Maximum Drain Source Voltage100 V
    Package TypeTO-220AB
    Mounting TypeThrough Hole
    Pin Count3
    Maximum Drain Source Resistance200 mΩ
    Channel ModeEnhancement
    Maximum Gate Threshold Voltage4V
    Minimum Gate Threshold Voltage2V
    Maximum Power Dissipation48 W
    Transistor ConfigurationSingle
    Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Number of Elements per Chip1
    Length10.54mm
    Maximum Operating Temperature+175 °C
    Typical Gate Charge @ Vgs25 nC @ 10 V
    Width4.69mm
    Transistor MaterialSi
    Height8.77mm
    SeriesHEXFET
    Minimum Operating Temperature-55 °C
    Tijdelijk niet op voorraad voor levertijd of een alternatief product neem contact op via Live Chat of zoek een vergelijkbaar product op de website.
    Add to Basket
    Aantal stuks

    Dit product is momenteel niet beschikbaar voor nabestelling.

    We hebben dit product helaas niet op voorraad en het is op dit moment niet beschikbaar voor nabestelling.

    Toegevoegd

    Prijs Each (In a Tube of 50)

    1,202 €

    (excl. BTW)

    1,454 €

    (incl. BTW)

    Aantal stuksPer stukPer tube*
    50 - 501,202 €60,10 €
    100 - 2001,166 €58,30 €
    250 - 4501,13 €56,50 €
    500 +1,082 €54,10 €
    *prijsindicatie