N-Channel MOSFET, 7 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC22DN20NS3GATMA1

RS-stocknr.:: 825-9146
Fabrikantnummer:: BSC22DN20NS3GATMA1
Fabrikant:: Infineon

N-Channel MOSFET, 7 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC22DN20NS3GATMA1

Prijs Per stuk (in een verpakking 20)**

€ 0,311

(excl. BTW)

€ 0,376

(incl. BTW)

9980 op voorraad - levertijd is 4 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Aantal stuks	Per stuk	Per pak**
20 +	€ 0,311	€ 6,22

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 825-9146
Fabrikantnummer:: BSC22DN20NS3GATMA1
Fabrikant:: Infineon

BSC22DN20NS3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	7 A
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Package Type	TDSON
Series	OptiMOS™ 3
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	225 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	34 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	4.2 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Length	5.35mm
Width	6.35mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.1mm

N-Channel MOSFET, 7 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC22DN20NS3GATMA1

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over