Fabrikantnummer

DiodesZetex Isolated 2 N-Channel MOSFET, 540 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-26 DMN2004DMK-7

RS-stocknr.:: 823-2927
Fabrikantnummer:: DMN2004DMK-7
Fabrikant:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 N-Channel MOSFET, 540 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-26 DMN2004DMK-7

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 8,40

(excl. BTW)

€ 10,17

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 08 maart 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
25 - 125	€ 0,336	€ 8,40
150 - 725	€ 0,192	€ 4,80
750 - 1475	€ 0,171	€ 4,28
1500 +	€ 0,168	€ 4,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 823-2927
Fabrikantnummer:: DMN2004DMK-7
Fabrikant:: DiodesZetex

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	DiodesZetex
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	540mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-26
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Power Dissipation Pd	225mW
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-8V, +8V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Width	1.7mm
	Length	3.1mm
	Standards/Approvals	MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS
	Height	1.3mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk DiodesZetex
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 540mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-26
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Power Dissipation Pd 225mW
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Width 1.7mm
	Length 3.1mm
	Standards/Approvals MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS
	Height 1.3mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.