Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 7,86

(excl. BTW)

€ 9,52

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.920 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,393€ 7,86
200 - 480€ 0,29€ 5,80
500 - 980€ 0,243€ 4,86
1000 - 1980€ 0,216€ 4,32
2000 +€ 0,157€ 3,14

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1213
Fabrikantnummer:
SIA449DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-363

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.038Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.15 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.15mm

Height

0.8mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links