Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G

RS-stocknr.:: 780-0611
Fabrikantnummer:: NTJD4152PT1G
Fabrikant:: onsemi

Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G

Prijs Per stuk (in een verpakking 25)

€ 0,092

(excl. BTW)

€ 0,111

(incl. BTW)

23425 op voorraad - levertijd is 4 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

Aantal stuks	Per stuk	Per pak**
25 +	€ 0,092	€ 2,30

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 780-0611
Fabrikantnummer:: NTJD4152PT1G
Fabrikant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	880 mA
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	1 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	350 mW
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Length	2.2mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	1.35mm
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	2
Height	1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor