Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.9 A, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4559ADY-T1-GE3

RS-stocknr.:: 710-3345
Fabrikantnummer:: SI4559ADY-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.9 A, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4559ADY-T1-GE3

Prijs Per stuk (in een verpakking 5)

€ 0,506

(excl. BTW)

€ 0,612

(incl. BTW)

15 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)*

10 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Aantal stuks	Per stuk	Per pak**
5 +	€ 0,506	€ 2,53

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 710-3345
Fabrikantnummer:: SI4559ADY-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	3.9 A, 5.3 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	72 mΩ, 150 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	3.1 W, 3.4 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	13 nC @ 30 V, 14.5 nC @ 30 V
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	2
Length	5mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	4mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.5mm

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.9 A, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4559ADY-T1-GE3

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor