Fabrikantnummer

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS-stocknr.:: 688-7216
Artikelnummer Distrelec:: 304-35-447
Fabrikantnummer:: IRLB4030PBF
Fabrikant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 6,55

(excl. BTW)

€ 7,926

(incl. BTW)

Voeg 28 eenheden toe voor gratis bezorging

Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.

Op voorraad

2 stuk(s) klaar voor verzending
28 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Plus verzending 144 stuk(s) vanaf 27 februari 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
2 - 18	€ 3,275	€ 6,55
20 - 48	€ 2,785	€ 5,57
50 - 98	€ 2,62	€ 5,24
100 - 198	€ 2,42	€ 4,84
200 +	€ 2,255	€ 4,51

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 688-7216
Artikelnummer Distrelec:: 304-35-447
Fabrikantnummer:: IRLB4030PBF
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	87nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	370W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	9.02mm
	Width	4.83 mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 370W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 9.02mm
	Width 4.83 mm
	Automotive Standard No

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

Motor Control MOSFET

Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.

Synchronous Rectifier MOSFET

A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.