STMicroelectronics STP80N N-Channel MOSFET, 5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N1K1K6

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal 20 eenheden (geleverd in een buis)*

€ 37,30

(excl. BTW)

€ 45,14

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 298 stuk(s) vanaf 12 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
20 - 98€ 1,865
100 - 198€ 1,42
200 +€ 1,26

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
287-7047P
Fabrikantnummer:
STP80N1K1K6
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

STP80N

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

62W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Worldwide best FOM

Ultra low gate charge

100 percent avalanche tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.