Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 334 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4600DP-T1-RE3

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 4.959,00

(excl. BTW)

€ 6.000,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,653€ 4.959,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
279-9968
Fabrikantnummer:
SIRS4600DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

334A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00115Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Reduces switching related power loss

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links