Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7351TRPBF

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 2.436,00

(excl. BTW)

€ 2.948,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,609€ 2.436,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2805
Fabrikantnummer:
IRF7351TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Land van herkomst:
PH
The Infineon MOSFET is a 60V N Channel HEXFET Power MOSFET. This MOSFET is used for low power motor drive systems and for isolated DC to DC converters.

Ultra low gate impedance

20V VGS maximum gate rating

Fully characterized avalanche voltage and current

Gerelateerde Links