Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 407,20

(excl. BTW)

€ 492,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 - 800€ 0,509€ 407,20
1600 - 1600€ 0,483€ 386,40
2400 +€ 0,453€ 362,40

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6782
Fabrikantnummer:
IRFZ34NSTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has features such as 175°C operating temperature, fast switching speed.

Fully avalanche rated

Gerelateerde Links