Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFIZ44NPBF
- RS-stocknr.:
- 262-6762
- Artikelnummer Distrelec:
- 304-41-675
- Fabrikantnummer:
- IRFIZ44NPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 10,24
(excl. BTW)
€ 12,39
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Op voorraad
- 1.240 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 + | € 1,024 | € 10,24 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 262-6762
- Artikelnummer Distrelec:
- 304-41-675
- Fabrikantnummer:
- IRFIZ44NPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.036Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.036Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has 4.8mm sink to lead creep age distance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fully avalanche rated
High voltage isolation 2.5KVRMS
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF5305PBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU5305PBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5305STRLPBF
