Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF2204PBF
- RS-stocknr.:
- 262-6722
- Artikelnummer Distrelec:
- 304-41-665
- Fabrikantnummer:
- IRF2204PBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 13,08
(excl. BTW)
€ 15,825
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 1.025 stuk(s) vanaf 02 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,616 | € 13,08 |
| 25 - 45 | € 2,486 | € 12,43 |
| 50 - 120 | € 2,326 | € 11,63 |
| 125 - 245 | € 2,172 | € 10,86 |
| 250 + | € 1,988 | € 9,94 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 262-6722
- Artikelnummer Distrelec:
- 304-41-665
- Fabrikantnummer:
- IRF2204PBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 210A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 210A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Ultra low on-resistance
Dynamic dv/dt rating
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3077PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3206PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3805STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 280 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220