Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD038N06NF2SATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,54

(excl. BTW)

€ 9,12

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,754€ 7,54
100 - 240€ 0,716€ 7,16
250 - 490€ 0,686€ 6,86
500 - 990€ 0,656€ 6,56
1000 +€ 0,415€ 4,15

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-5867
Fabrikantnummer:
IPD038N06NF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links