Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.12 A, 600 V Depletion, 4-Pin PG-SOT223 BSP135H6906XTSA1
- RS-stocknr.:
- 260-5075
- Artikelnummer Distrelec:
- 304-41-649
- Fabrikantnummer:
- BSP135H6906XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 10,01
(excl. BTW)
€ 12,11
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Op voorraad
- Plus verzending 8.040 stuk(s) vanaf 19 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,002 | € 10,01 |
| 25 - 45 | € 1,722 | € 8,61 |
| 50 - 120 | € 1,622 | € 8,11 |
| 125 - 245 | € 1,504 | € 7,52 |
| 250 + | € 1,404 | € 7,02 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 260-5075
- Artikelnummer Distrelec:
- 304-41-649
- Fabrikantnummer:
- BSP135H6906XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | BSP | |
| Package Type | PG-SOT223 | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series BSP | ||
Package Type PG-SOT223 | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Depletion | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon N channel MOSFET transistor operates in depletion mode. Its maximum power dissipation is 1.8 W. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Depletion mode
dv or dt rated
Available with V GS(th) indicator on the reel
Gerelateerde Links
- Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.12 A, 600 V Depletion, 4-Pin PG-SOT223
- Infineon IKN04N60RC2ATMA1 IGBT, 7.5 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN01N60RC2ATMA1 IGBT, 2.2 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN03N60RC2ATMA1 IGBT, 5.7 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN06N60RC2ATMA1 IGBT, 8 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.12 A, 40 V Depletion, 3-Pin SOT-223
- Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.12 A, 40 V Depletion, 3-Pin SOT-223 BSP129H6906XTSA1
- Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.12 A, 40 V Depletion, 3-Pin SOT-223 BSP149H6906XTSA1
