Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, -120 A, -40 V Enhancement TO-263 IPB120P04P404ATMA2
- RS-stocknr.:
- 258-3798
- Fabrikantnummer:
- IPB120P04P404ATMA2
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 eenheid)*
€ 3,54
(excl. BTW)
€ 4,28
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00
Op voorraad
- 2.955 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,54 |
| 10 - 24 | € 3,36 |
| 25 - 49 | € 3,23 |
| 50 - 99 | € 3,08 |
| 100 + | € 2,87 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 258-3798
- Fabrikantnummer:
- IPB120P04P404ATMA2
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.50mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.50mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
Gerelateerde Links
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, -120 A, -40 V Enhancement TO-263 IPB120P04P404ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120P04P4L03ATMA2
- Infineon iPB N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2
- Infineon iPB N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB120N04S402ATMA1
- Infineon iPB N-Channel MOSFET, 100 A, 120 V Enhancement TO-263 IPB100N12S305ATMA1
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 17 A, 800 V Enhancement TO-263 IPB80R290C3AATMA2