Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252 IRFR7446TRPBF
- RS-stocknr.:
- 257-5883
- Fabrikantnummer:
- IRFR7446TRPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 2,28
(excl. BTW)
€ 2,76
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Op voorraad
- 1.405 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,456 | € 2,28 |
| 50 - 120 | € 0,416 | € 2,08 |
| 125 - 245 | € 0,388 | € 1,94 |
| 250 - 495 | € 0,36 | € 1,80 |
| 500 + | € 0,334 | € 1,67 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 257-5883
- Fabrikantnummer:
- IRFR7446TRPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 98W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 98W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and it’s used for OR-ing and redundant power switches and DC/DC and AC/DC converters, DC/AC Inverters.
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dv/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V TO-252 IRFR4104TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 40 V TO-252 IRLR3114ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V TO-252 AUIRFR8403TRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 30 V TO-252