Vishay Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V PowerPAK SISS42LDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,59

(excl. BTW)

€ 10,395

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5.970 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,718€ 8,59
50 - 95€ 1,664€ 8,32
100 - 245€ 1,404€ 7,02
250 - 995€ 1,38€ 6,90
1000 +€ 1,004€ 5,02

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
256-7435
Fabrikantnummer:
SISS42LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0149Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor N-channel 100 V (D-S) mosfet very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) applications synchronous rectification, primary side switch, DC, DC converter, solar micro inverter, motor drive switch, battery and load switch, industrial.

TrenchFET gen IV power mosfet

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links