Vishay Type N-Channel MOSFET, 243 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ154EP-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 100 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*

€ 96,00

(excl. BTW)

€ 116,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 50 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
100 - 240€ 0,96
250 - 490€ 0,868
500 - 990€ 0,817
1000 +€ 0,767

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
252-0305P
Fabrikantnummer:
SQJ154EP-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

243A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0025mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested