Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 1,13

(excl. BTW)

€ 1,37

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 10.930 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,113€ 1,13
100 - 490€ 0,107€ 1,07
500 - 990€ 0,067€ 0,67
1000 - 2490€ 0,061€ 0,61
2500 +€ 0,052€ 0,52

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
250-0554
Fabrikantnummer:
BSS209PWH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSS

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes P-channel with enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. This device is OptiMOS-P Small-Signal-Transistor with super logic level of 2.5 V (rated). The operating temperature is 150°C. It is Avalanche and dv /dt rated. It is Pb-free with lead plating, Halogen-free.

VDS is -20 V, RDS(on),max 550 mΩ and Id is -0.63 A

Maximum power dissipation is 500mW

Gerelateerde Links