Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N10S406ATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,30

(excl. BTW)

€ 5,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.192 stuk(s) vanaf 02 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 2,15€ 4,30
20 - 48€ 1,915€ 3,83
50 - 98€ 1,78€ 3,56
100 - 198€ 1,655€ 3,31
200 +€ 1,55€ 3,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
249-6916
Fabrikantnummer:
IPD90N10S406ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

Gerelateerde Links