Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 253 A, 30 V, 8-Pin PQFN IQE030N06NM5ATMA1

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,28

(excl. BTW)

€ 6,38

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 428 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 2,64€ 5,28

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
240-6632
Fabrikantnummer:
IQE030N06NM5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

253A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PQFN

Series

IQE

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.85mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.73V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOSTM 5 60V PQFN 3.3x3.3 Source-Down features 60 V and low RDS(on) of 3.0 mOhm. It offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. Furthermore, the higher efficiency, the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management are benefits at the system level.

Improved PCB losses

Enabling highest power density and performance

Gerelateerde Links