Vishay Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR512DP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 12,55

(excl. BTW)

€ 15,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.020 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,51€ 12,55
50 - 120€ 2,36€ 11,80
125 - 245€ 2,134€ 10,67
250 - 495€ 2,006€ 10,03
500 +€ 1,882€ 9,41

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
239-8647
Fabrikantnummer:
SIR512DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

Gerelateerde Links