Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 333 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IPT013N08NM5LFATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,64

(excl. BTW)

€ 8,03

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 6,64
10 - 24€ 6,30
25 - 49€ 6,05
50 - 99€ 5,78
100 +€ 5,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
236-1587
Fabrikantnummer:
IPT013N08NM5LFATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

333A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

HSOF-8

Series

IPT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

2.4mm

Width

10.58 mm

Length

10.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 80 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .

Ideal for hot-swap and e-fuse applications

Very low on-resistance RDS(on)

Wide safe operating area SOA

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating, halogen-free

Gerelateerde Links