Fabrikantnummer

STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

RS-stocknr.:: 233-0475P
Fabrikantnummer:: SCTWA70N120G2V-4
Fabrikant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal 10 eenheden (geleverd in een buis)*

€ 359,40

(excl. BTW)

€ 434,90

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Op voorraad

Plus verzending 358 stuk(s) vanaf 10 augustus 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
10 +	€ 35,94

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 233-0475P
Fabrikantnummer:: SCTWA70N120G2V-4
Fabrikant:: STMicroelectronics

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	91A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	Hip-247
	Series	SCTWA70N120G2V-4
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	30mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	2.7V
	Maximum Power Dissipation Pd	547W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	150nC
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Height	5mm
	Standards/Approvals	No
	Length	34.8mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 91A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type Hip-247
	Series SCTWA70N120G2V-4
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 2.7V
	Maximum Power Dissipation Pd 547W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Height 5mm
	Standards/Approvals No
	Length 34.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTWA70N120G2V-4

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Source sensing pin for increased efficiency

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.