Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0806NLSATMA1

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,59

(excl. BTW)

€ 5,554

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 4.996 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 2,295€ 4,59

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
232-6767
Fabrikantnummer:
ISC0806NLSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

97A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS 5

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.1mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.2 mm

Length

6.1mm

Height

5.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Gerelateerde Links