Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V, 8-Pin SO-8 ISC0602NLSATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,20

(excl. BTW)

€ 12,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.995 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,04€ 10,20
50 - 120€ 1,838€ 9,19
125 - 245€ 1,714€ 8,57
250 - 495€ 1,592€ 7,96
500 +€ 1,488€ 7,44

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
232-6749
Fabrikantnummer:
ISC0602NLSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.5mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.35mm

Length

6.1mm

Width

1.2 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Gerelateerde Links