Vishay TrenchFET Type N, Type N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 609,00

(excl. BTW)

€ 738,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,203€ 609,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
228-2928
Fabrikantnummer:
SiSH536DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

67.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface, Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

26.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links