Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 77.4 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR570DP-T1-RE3

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 14,65

(excl. BTW)

€ 17,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.975 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 2,93€ 14,65

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2906
Fabrikantnummer:
SiR570DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

77.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.9nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 150 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links