Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 71,65

(excl. BTW)

€ 86,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 475 stuk(s) vanaf 19 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 - 25€ 2,866€ 71,65
50 - 100€ 2,694€ 67,35
125 +€ 2,436€ 60,90

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
228-2869
Fabrikantnummer:
SIHG24N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-247

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links