Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 13,66

(excl. BTW)

€ 16,52

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.760 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 80€ 0,683€ 13,66
100 - 180€ 0,532€ 10,64
200 - 480€ 0,498€ 9,96
500 - 980€ 0,464€ 9,28
1000 +€ 0,43€ 8,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4689
Fabrikantnummer:
IPN80R2K4P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

SOT-223

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

6.3W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.8mm

Length

6.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.