Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R180C7XKSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 13,88

(excl. BTW)

€ 16,795

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Op voorraad
  • Plus verzending 455 stuk(s) vanaf 23 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 2,776€ 13,88
25 - 45€ 2,498€ 12,49
50 - 120€ 2,332€ 11,66
125 - 245€ 2,164€ 10,82
250 +€ 2,028€ 10,14

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4642
Fabrikantnummer:
IPA60R180C7XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications according to JEDEC standards

Gerelateerde Links