DiodesZetex DMG1012UWQ Type N-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 DMG1012UWQ-7

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 7,45

(excl. BTW)

€ 9,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.700 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,149€ 7,45
100 - 200€ 0,076€ 3,80
250 - 450€ 0,074€ 3,70
500 - 950€ 0,067€ 3,35
1000 +€ 0,065€ 3,25

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-2825
Fabrikantnummer:
DMG1012UWQ-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

950mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

DMG1012UWQ

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.29W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Length

2.2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Gerelateerde Links