Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.050,00

(excl. BTW)

€ 1.260,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,35€ 1.050,00
6000 +€ 0,333€ 999,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
218-3105
Fabrikantnummer:
IRFR3410TRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

31Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel power MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. This MOSFET is mainly used in high frequency DC-DC converters.

RoHS Compliant

175°C Operating Temperature

Fast switching

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.