Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD35N10S3L26ATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 19,62

(excl. BTW)

€ 23,745

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 11.445 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 1,308€ 19,62
75 - 135€ 1,243€ 18,65
150 - 360€ 1,191€ 17,87
375 - 735€ 1,137€ 17,06
750 +€ 1,059€ 15,89

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3043
Fabrikantnummer:
IPD35N10S3L26ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T series N-channel automotive MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. It has low switching and conduction power losses.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.