Infineon IPD N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K7C3AATMA1

Subtotaal (20 eenheden, in een pakket van 20)*

€ 20,72

(excl. BTW)

€ 25,08

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 1,036€ 20,72

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
217-2532
Fabrikantnummer:
IPD80R2K7C3AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.22mm

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Automotive AEC Q101 qualified

Green package (RoHS compliant)

Gerelateerde Links