Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251

Subtotaal (1 tube van 75 eenheden)*

€ 58,50

(excl. BTW)

€ 70,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.425 stuk(s) vanaf 21 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
75 +€ 0,78€ 58,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-9109
Fabrikantnummer:
IPS80R900P7AKMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.7mm

Width

2.35mm

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Automotive Standard

No

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are Easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.