Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 112 A, 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4800 eenheden)*

€ 6.081,60

(excl. BTW)

€ 7.358,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.800 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4800 +€ 1,267€ 6.081,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-8964
Fabrikantnummer:
AUIRL7736M2TR
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

112A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

DirectFET

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

0.74mm

Length

6.35mm

Standards/Approvals

No

Width

5.05 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon combines the latest Automotive HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced packaging platform to achieve exceptional performance in a package that has the footprint of an SO-8 or 5X6mm PQFN and only 0.7mm profile. The package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques etc. The package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.

Advanced Process Technology

Logic Level

High Power Density

Gerelateerde Links