Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 96 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT111N20NFDATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 15,55

(excl. BTW)

€ 18,816

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.066 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 7,775€ 15,55
10 - 18€ 6,69€ 13,38
20 - 48€ 6,22€ 12,44
50 - 98€ 5,83€ 11,66
100 +€ 5,365€ 10,73

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4424
Fabrikantnummer:
IPT111N20NFDATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

96A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

HSOF

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.4mm

Standards/Approvals

No

Width

10.58 mm

Length

10.1mm

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

It is RoHS compliant

Gerelateerde Links