Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V P, 3-Pin TO-220 IPA80R1K4CEXKSA2

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 10,095

(excl. BTW)

€ 12,21

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 +€ 0,673€ 10,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4355
Fabrikantnummer:
IPA80R1K4CEXKSA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

P

Maximum Power Dissipation Pd

31W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.85mm

Length

10.68mm

Width

16.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon CoolMOSE CE MOSFET uses revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The high voltage capability combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

Gerelateerde Links